時隔四年多，聯(lián)電與美光的專利糾紛案終于落地。

11月26日，晶圓代工廠聯(lián)華電子和存儲器巨頭美光科技發(fā)布公告稱，雙方達成庭外和解協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將各自撤回向?qū)Ψ教岢龅脑V訟，同時聯(lián)電將向美光一次性支付和解金。對于具體的金額，雙方并未披露。

此案源于福建晉華與聯(lián)電的合作。2016年5月，曾被國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)寄予厚望的福建晉華與聯(lián)電簽署技術(shù)合作協(xié)議，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。由晉華支付技術(shù)報酬金，開發(fā)出的DRAM技術(shù)成果將由雙方共同擁有。

2017年美光舉報稱，聯(lián)電與福建晉華的合作中涉嫌竊取其商業(yè)秘密；隨后美國司法部也指控晉華和聯(lián)電涉嫌竊取美光知識產(chǎn)權(quán)和商業(yè)機密事件。

在聯(lián)電與美光多次的口水仗后，聯(lián)電于2020年10月29日宣布，已與美國司法部達成和解。在和解協(xié)議中，美國司法部同意撤銷對聯(lián)電原來的指控，包括共謀實施經(jīng)濟間諜活動，共謀竊取多項美光的營業(yè)秘密和專利有關(guān)的指控，以及可能從4億美元到87.5億美元的損害賠償及罰金等。

聯(lián)電承認(rèn)侵害一項營業(yè)秘密，同意支付美國政府6000萬美元的罰金，并在三年自主管理的緩刑期間內(nèi)與美國司法部合作。

聯(lián)電表示，與晉華合作協(xié)議開發(fā)的DRAM程并非最新技術(shù)，而是與2012年量產(chǎn)技術(shù)相似的舊技術(shù)。

在11月26日聯(lián)電與美光達成庭外和解協(xié)議后，此次專利糾紛將正式結(jié)束。

標(biāo)簽： 聯(lián)電 美光 DRAM 存儲器 福建晉華