時隔四年多，聯電與美光的專利糾紛案終于落地。

11月26日，晶圓代工廠聯華電子和存儲器巨頭美光科技發布公告稱，雙方達成庭外和解協議。根據協議，雙方將各自撤回向對方提出的訴訟，同時聯電將向美光一次性支付和解金。對于具體的金額，雙方并未披露。

此案源于福建晉華與聯電的合作。2016年5月，曾被國內存儲產業寄予厚望的福建晉華與聯電簽署技術合作協議，開發DRAM相關制程技術。由晉華支付技術報酬金，開發出的DRAM技術成果將由雙方共同擁有。

2017年美光舉報稱，聯電與福建晉華的合作中涉嫌竊取其商業秘密；隨后美國司法部也指控晉華和聯電涉嫌竊取美光知識產權和商業機密事件。

在聯電與美光多次的口水仗后，聯電于2020年10月29日宣布，已與美國司法部達成和解。在和解協議中，美國司法部同意撤銷對聯電原來的指控，包括共謀實施經濟間諜活動，共謀竊取多項美光的營業秘密和專利有關的指控，以及可能從4億美元到87.5億美元的損害賠償及罰金等。

聯電承認侵害一項營業秘密，同意支付美國政府6000萬美元的罰金，并在三年自主管理的緩刑期間內與美國司法部合作。

聯電表示，與晉華合作協議開發的DRAM程并非最新技術，而是與2012年量產技術相似的舊技術。

在11月26日聯電與美光達成庭外和解協議后，此次專利糾紛將正式結束。

標簽： 聯電 美光 DRAM 存儲器 福建晉華